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2026년 국가직 9급 전자공학개론 기출 풀기

2026 국가직 9급 전자공학개론 기출 20문제를 CBT로 풀고 자동 채점, 문항별 정답, 합격선 정보를 확인하세요.

문항
20문제
권장 시간
22분
채점
100점 환산

2026년 4월 4일 시행한 가책형 20문항입니다. 정답은 4월 13일 공개된 공식 최종정답을 따릅니다. 진리표, 멀티플렉서, 마스터-슬레이브 래치 파형과 BJT·MOSFET·발진기·필터 회로를 원문 그림으로 제공합니다. 논리식의 부정기호와 입력·출력 파형은 당시 시험지와 일치하도록 검수했습니다. 문항별 수치와 계산 조건은 당시 공식 시험지를 따릅니다. 22분은 당시 전체 시험시간 110분을 5과목으로 나눈 연습 기준이며 실제 과목별 제한시간이나 2027년 문제 수를 뜻하지 않습니다.

풀이 진행 0 / 20
  1. 011번 원문 시험지
    1. 다음 중 작은 저항값을 갖는 부하를 구동하기 위한 전압버퍼로 사용하기에 가장 적절한 증폭기는? ①캐스코드증폭기 ②공통컬렉터증폭기 ③공통이미터증폭기 ④공통베이스증폭기
  2. 022번 원문 시험지
    2. 10진수 －15를 8비트 2의 보수 형태로 표현하면? ①11110000 ②11110001 ③11110010 ④11110011
  3. 033번 원문 시험지
    3. OSI(open system interconnection) 계층 중 송신 프로세스와 수신 프로세스를 서로 연결하는 기능을 수행하는 것으로서, 프로세스를 구분하기 위해 포트 번호를 부여하는 계층은? ①세션(session) 계층 ②전송(transport) 계층 ③네트워크(network) 계층 ④데이터링크(data link) 계층
  4. 044번 원문 시험지
    4. FM 송신단의 프리엠퍼시스와 FM 수신단의 디엠퍼시스 필터를 바르게 연결한 것은? 선지의 열 순서는 프리엠퍼시스, 디엠퍼시스이다. ① 고역통과필터, 저역통과필터 ② 고역통과필터, 고역통과필터 ③ 저역통과필터, 저역통과필터 ④ 저역통과필터, 고역통과필터
  5. 055번 원문 시험지
    5. (가)의 입력 v_in을 (나) 회로에 인가했을 때 출력 v_out의 최댓값과 최솟값의 합 [V]은? 다이오드는 이상적이다. (가)는 +5 V와 -5 V 사이를 오가는 정현파이며 가로축은 t이다. (나)는 상단 입력에서 3 V 전압원(왼쪽 -, 오른쪽 +)을 지나 오른쪽 방향 다이오드와 출력 상단으로 연결된다. 출력 상단과 아래 공통선 사이에 R이 있고 v_out은 위 +, 아래 -이다. ① -8 ② -5 ③ 5 ④ 8
  6. 066번 원문 시험지
    6. 다음 진리표를 갖는 출력 F의 논리식은? ×는 무관항이다. 열 순서는 A B C D F이다. 행별 ABCD와 F: 0000→×, 0001→1, 0010→×, 0011→1, 0100→×, 0101→1, 0110→1, 0111→×, 1000→0, 1001→0, 1010→0, 1011→0, 1100→1, 1101→0, 1110→0, 1111→1. NOT(X)는 X의 부정, ·는 AND, +는 OR를 뜻한다. ① NOT(A)+B·NOT(C)·NOT(D)+B·C·D ② NOT(A)+NOT(B)·C·NOT(D)+NOT(B)·NOT(C)·D ③ A+B·NOT(C)·D+B·C·NOT(D) ④ A+NOT(B)·C·NOT(D)+NOT(B)·NOT(C)·D
  7. 077번 원문 시험지
    7. 스위치가 오랜 시간 열린 상태에 있다가 t=0 s에서 닫히면 i_C(0+) [A], v_C(∞) [V], i_L(∞) [A]는? 왼쪽 가지의 24 V 전압원은 위 +와 아래 -이며 4 Ω 저항과 위쪽 인덕터 L을 지나 중앙 상단 노드로 연결된다. 중앙 노드와 아래 공통선 사이에 스위치가 있다. 오른쪽 가지는 중앙 노드에서 3 Ω 저항과 커패시터 C를 거쳐 아래 공통선으로 이어진다. i_L은 인덕터에서 오른쪽 방향, i_C는 커패시터에서 아래 방향이고 v_C는 위 +, 아래 -이다. 선지의 열 순서는 i_C(0+), v_C(∞), i_L(∞)이다. ① -8, 0, 6 ② -8, 6, 0 ③ 8, 0, 6 ④ 8, 6, 0
  8. 088번 원문 시험지
    8. 반도체 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? ①순방향 바이어스에서는 주로 확산(diffusion)에 의해서 전류가 흐른다. ②동작 온도가 올라가면 역방향 바이어스 영역의 동일 전압에서 흐르는 전류 절댓값이 커진다. ③GaAs 화합물 다이오드는 Si 다이오드보다 전하이동도가 우수하여 고속 동작에 주로 이용된다. ④제너 다이오드는 순방향 바이어스 영역의 항복현상을 이용하여 전원 안정화 회로에 사용된다.
  9. 099번 원문 시험지
    9. 그림의 증폭기 전압이득 |V_out/V_in|에 비례하는 것으로 옳은 것만 모두 고르면? I_B는 이상적인 정전류원, C=∞, BJT Q₁은 활성영역에서 동작한다. Q₁의 베이스에 V_in이 들어가고 컬렉터는 R을 거쳐 +V_CC에 연결되며 컬렉터 노드가 V_out이다. 이미터는 아래 방향 정전류원 I_B와 커패시터 C를 통해 각각 접지에 연결된다. ㄱ 저항 R, ㄴ Q₁의 이미터 면적, ㄷ 바이어스 전류 I_B, ㄹ 바이어스 전압 V_CC. ① ㄱ·ㄴ ② ㄱ·ㄷ ③ ㄴ·ㄹ ④ ㄷ·ㄹ
  10. 1010번 원문 시험지
    10. 4×1 멀티플렉서의 출력 Z의 논리식은? 입력은 I₀=C, I₁=NOT(C), I₂=1, I₃=0이고 데이터선택은 A와 B이다. 선택표는 A B가 00일 때 I₀, 01일 때 I₁, 10일 때 I₂, 11일 때 I₃이다. NOT(X)는 부정, ·는 AND, +는 OR이다. ① A·NOT(C)+B·NOT(C) ② A·NOT(B)+NOT(B)·C+NOT(A)·B·NOT(C) ③ A·NOT(C)+B·NOT(C)+NOT(A)·NOT(B)·C ④ NOT(A)·NOT(B)·C+NOT(A)·B·NOT(C)+A·NOT(B)·NOT(C)
  11. 1111번 원문 시험지
    11. 회로의 R₄에 흐르는 전류 I [A]는? 왼쪽 84 V 전압원은 위 +, 아래 -이고 R₁=6 Ω과 R₂=3 Ω의 병렬 조합을 거쳐 R₃=12 Ω으로 중앙 상단 노드에 연결된다. 중앙 노드와 아래 공통선 사이는 R₄=6 Ω이며 I는 아래 방향이다. 중앙 노드에서 R₅=3 Ω을 거쳐 오른쪽 21 V 전압원(위 +, 아래 -)으로 연결된다. 두 전압원의 하단은 공통선이다. ① 1 ② 2 ③ 3 ④ 4
  12. 1212번 원문 시험지
    12. MOSFET과 BJT의 특징으로 옳은 것만을 모두 고르면? ㄱ. MOSFET은 BJT보다 전력 소모가 크다. ㄴ. MOSFET은 전계효과로 전류가 제어된다. ㄷ. MOSFET은 게이트 단자가 절연되어 있다. ㄹ. MOSFET와 BJT 모두 전자와 정공 두 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. ①ㄱ, ㄴ ②ㄱ, ㄹ ③ㄴ, ㄷ ④ㄷ, ㄹ
  13. 1313번 원문 시험지
    13. 그림의 전력용 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? 소스-드레인 사이 PN 다이오드는 제조공정에서 만들어지는 내부 다이오드이다. 그림의 위 단자는 D, 아래는 S, 왼쪽은 G이며 i_D는 위에서 아래로, v_GS의 +는 G와 -는 S에 표시된다. 내부 다이오드는 D-S 사이 오른쪽 가지에 있다. ① 턴오프 상태일 때 내부 다이오드로 전류가 흐를 수 없다. ② D·S·G의 3단자로 이루어진 반도체 스위칭 소자이다. ③ 내부 다이오드의 역회복시간이 상대적으로 느려 고속 스위칭 회로에는 외부 고속 다이오드를 추가한다. ④ 게이트-소스 전압 v_GS에 문턱전압보다 큰 양의 전압을 인가하면 드레인-소스가 턴온되어 i_D가 흐른다.
  14. 1414번 원문 시험지
    14. 그림의 발진기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? 전압이득은 A, 귀환계수는 β이다. C₁과 C₂가 상단과 하단 노드 사이에 직렬 연결되고, L은 같은 두 노드 사이의 오른쪽 가지에 연결된다. 왼쪽 MOSFET M의 위쪽 단자는 상단 노드, 아래쪽 단자는 C₁-C₂ 접점에 연결되며 게이트는 하단 노드에 연결된다. ① |β|=C₂/C₁이다. ② 콜피츠발진기 회로이다. ③ Aβ>1일 때 발진이 시작된다. ④ 발진주파수 f_r=1/{2π√[L(C₁C₂/(C₁+C₂))]} [Hz]이다.
  15. 1515번 원문 시험지
    15. 그림의 증폭기 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? 연산증폭기의 개방루프이득은 1000, 차단주파수는 1 kHz이다. V_in은 연산증폭기의 +입력에 들어간다. 출력 V_out에서 R₁=2 MΩ과 R₂=1 MΩ이 직렬로 접지에 이어지고 두 저항의 접점이 -입력에 연결된다. ① 반전증폭기이다. ② |V_out/V_in|은 약 2이다. ③ 대역폭은 약 330 kHz이다. ④ 단위이득주파수는 약 2 MHz이다.
  16. 1616번 원문 시험지
    16. D-래치 2개의 마스터-슬레이브 회로에서 CLK와 IN이 원문 파형과 같을 때 OUT의 파형은? t₀ 이전 OUT은 HIGH이며 래치와 인버터 지연은 없다. IN은 첫 래치 D에, 첫 래치 Q는 두 번째 래치 D에 연결되고 두 번째 Q가 OUT이다. 첫 EN에는 반전 CLK, 두 번째 EN에는 CLK가 들어간다. CLK는 t₁에서 상승, t₂에서 하강, t₄에서 상승, t₇에서 하강한다. IN은 t₀에서 하강, t₃에서 상승, t₅에서 하강, t₆에서 상승한다. 시간 순서는 t₀<t₁<t₂<t₃<t₄<t₅<t₆<t₇이다. ① OUT은 t₂ 전 HIGH, t₂부터 t₇까지 LOW, t₇ 이후 HIGH. ② t₁ 전 HIGH, t₁부터 t₄까지 LOW, t₄부터 t₇까지 HIGH, t₇ 이후 LOW. ③ t₁ 전 HIGH, t₁부터 t₄까지 LOW, t₄ 이후 HIGH. ④ t₇ 전 HIGH, t₇ 이후 LOW.
  17. 1717번 원문 시험지
    17. 그림의 MOSFET 증폭기 전압이득 |V_out/V_in|은? g_m=1 mA/V, C=∞, 교류 출력저항 r_o=∞이다. +V_DD와 접지 사이에 R₁=12 kΩ과 R₂=12 kΩ이 직렬로 연결된다. 두 저항의 접점은 MOSFET M의 게이트에 연결되고 V_in은 커패시터 C를 거쳐 이 접점에 들어간다. 드레인은 R_D=5 kΩ을 거쳐 +V_DD에, 소스는 접지에 연결되고 드레인 노드가 V_out이다. ① 1 ② 2.5 ③ 5 ④ 7.5
  18. 1818번 원문 시험지
    18. 차동증폭기 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? I_B는 이상적 정전류원, Q₁·Q₂는 활성영역이고 공통모드이득은 매우 작은 일정한 값이다. +V_CC에서 각각 R_C를 거쳐 Q₁과 Q₂의 컬렉터로 연결된다. 각 베이스는 V_in1·V_in2이고 두 이미터는 공통 아래 방향 전류원 I_B를 통해 접지로 이어진다. 컬렉터 출력 V_o1·V_o2 사이의 차동출력 V_out은 왼쪽 +, 오른쪽 -이다. ① I_B가 증가하면 차동모드이득 절댓값이 감소한다. ② I_B가 증가하면 CMRR이 감소한다. ③ R_C가 증가하면 차동모드이득 절댓값이 증가한다. ④ R_C가 증가하면 직류 출력전압 V_o1과 V_o2가 증가한다.
  19. 1919번 원문 시험지
    19. 3단 귀환 RC 회로와 전압이득 -K인 증폭기의 발진기 설명으로 옳지 않은 것은? K는 양수이다. 그림에서 증폭기 출력이 직렬 커패시터 C 3개를 통해 입력으로 귀환되고, 각 커패시터 다음 접점은 저항 R을 통해 접지에 연결된다. ① 위상편이발진기이다. ② f_r=1/(2πRC√3) [Hz]이다. ③ 발진주파수에서 3단 귀환 RC 회로의 |β|=1/29이다. ④ 3단 귀환 RC 회로 전체 위상편이가 180°이면 발진조건을 만족한다.
  20. 2020번 원문 시험지
    20. 2차 대역통과필터 전달함수에 대응하는 회로 설명으로 옳지 않은 것은? 연산증폭기는 이상적이다. 전달함수는 V_out(s)/V_in(s)={K(ω₀/Q)s}/{s²+(ω₀/Q)s+ω₀²}이다. 입력 V_in에서 R을 거쳐 첫 노드, 이어 C를 거쳐 연산증폭기의 -입력 노드로 연결된다. 출력 V_out과 첫 노드 사이에는 C, 출력과 -입력 노드 사이에는 R이 연결되며 +입력은 접지이다. ① Q=1/2이다. ② 중심 각주파수 ω₀=1/(RC) [rad/s]이다. ③ 중심 각주파수에서 |K|=2이다. ④ 대역폭 BW=1/(πRC) [Hz]이다.
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공식 원문 확인

국가공무원 채용시스템의 공개 시험문제와 최종정답을 기준으로 구성했습니다. 시험일 2026-04-04 · 검증일 2026-10-14

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